GaN-HEMTを使ったXバンド・レーダー用出力50Wパワー・アンプを実演していました．近年はマリン・レーダーにも固体化(半導体化)の波が及んでおり，マグネトロンを代替するためのパワー・アンプだそうです．パルス出力ですが，AB1級動作であり，終段効率は40％程度とのことです．
　出力50Wでは従来のマグネトロンより小さいため，同等の性能を得るためパルス方式に代えてFM-CW(チャープ)レーダーを構成するそうです．

　試作パワー・アンプは3段構成．デバイスは国産とのこと．

　左は防衛用のSP22T構成PINダイオード・スイッチだそうです．外観に機能美を感じます．